NTE2333
Silicon NPN Power Transistor for Switching Power Applications

Description:
The NTE2333 is a silicon NPN Power Transistor in a TO220 package designed for use in 220V line- operated Switchmode Power supplies and electronic light ballasts.

Features:
- Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements: High and Flat DC Current Gain hFE Fast Switching No Coil Required in Base Circuit for Turn-Off (No Current Tail)

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NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Sustaining Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V
Collector-Emitter Breakdown Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Base Current, IB
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8W/°C
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +150°C
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from Case for 5sec), TL . . . . . . . . . . . +260°C

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.
Note 2. Proper strike and creepage distance must be provided.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.