NTE2319
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Power Switch

Description:
The NTE2319 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line-operated switchmode applications.

Features:
- Fast Turn-On Times @ TC = +100°C:
Inductive Fall Time: 50ns Typ
Inductive Crossover Time: 90ns Typ
Inductive Storage Time: 800ns Typ
- 100°C Performance Specified for:
Reverse-Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Current

Applications:
- Switching Regulators
- Inverters
- Solenoids
- Relay Drivers
- Motor Controls
- Deflection Circuits

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................450V
Collector-Emitter Voltage, VCEV.....................................................850V
Emitter-Base Voltage, VEB...........................................................6V
Collector Current, IC
Continuous.................................................................. 15A
Peak (Note 1)................................................................ 20A
Base Current, IB
Continuous.................................................................. 10A
Peak (Note 1)................................................................ 15A
Total Device Dissipation, PD
TC = +25°C................................................................ 175W
TC = +100°C...............................................................100W
Derate Above 25°C.........................................................1W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.......................................1°C/W
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL.......................+275°C

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 5μs, Duty Cycle ≥ 10%.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.