NTE278
Silicon NPN Transistor Broadband RF Amp

Description:
The NTE278 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed specifically for broadband applications requiring good linearity. Usable as a high frequency current mode switch to 200mA.

Features:
- Low Noise Figure: NF = 3.0dB Typ @ f = 200MHz
- High Current-Gain Bandwidth Product: fT = 1200MHz Min @ IC = 50mA

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NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Total Device Dissipation (TC = +75°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C


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