NTE271 PNP Si-Transistor Darlington hFE=1000 10A 100V TO-3P or TO-218
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch

See also >>> NTE270 (NPN)

Description:
The NTE270 (NPN) and NTE271 (PNP) are silicon Darlington complementary power transistors in a TO218 type package designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications.

Features:
- High DC Current Gain: hFE = 1000 Min @ IC = 5A, VCE = 4V
- Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 30mA
- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector-Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35.7°C/W

Note 1. Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.


Unser Halbleiter Katalog (ohne NTE-Sortiment)
NTE Sortiment (unser ganzes Sortiment)
Einzel-Halbleiter (ganzes Sortiment)

Fehler und Änderungen bei technischen Daten, Abmessungen und Preisen bleiben vorbehalten. Bild kann vom Original abweichen.
Hat sich ein Fehler eingeschlichen? Bitte hier melden


Suchen Sie nach einem Ersatztypen?

Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.