NTE221
MOSFET Dual Gate, N-Channel for VHF TV Receivers Applications

Description:
The NTE221 is an N-channel depletion type, dual-insulated gate, field-effect transistor that utilizes MOS construction. This device has characteristics which makes it highly desirable for use in RF-amplifier applications.

Features:
- Extremely Low Feedback Capacitance
- High Power Gain

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NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain-to-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 to +20V
Gate 1-to-Source Voltage, VG1S
Continuous (DC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1V to -8V
Peak AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V to -8V
Gate 2-to-Source Voltage, VG2S
Continuous (DC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -8V to 40% of VDS
Peak AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -8V to +20V
Drain-to-Gate Voltage, VDG1 or VDG2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V
Pulsed Drain Current (Note 1), ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Transistor Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW
Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.67mW/°C
Operating Ambient Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +175°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/32” from seating surface, 10sec max), TL . . . . . . . . +265°C

Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 20ms, Duty Cycle ≤ 15%.


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Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.