NTE192A (NPN)
Silicon Complementary Transistors Audio Power Output

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Description:
NTE192 (NPN)/NTE193 (PNP) and NTE192A (NPN)/NTE193A (PNP) are silicon complementary transistors in a TO92HS type package designed for use in general purpose industrial circuits. These devices are especially suited for high level linear amplifiers or medium speed switching circuits in industrial control applications.

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NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current (Note 1), IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Power Dissipation (TC = +25°C, Note 1), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2mW/°C
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.47mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case for 10sec max), TL . . . . . . . . +260°C

Note 1. Determined from power limitations due to saturation voltage at this current.


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