NPN Epitaxial Silicon Transistor 300V 500mA 20W hfe=240
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High Voltage General Purpose Applications
High Collector-Emitter Breakdown Voltage
Suitable for Transformer
Complement to MJE350
Collector-Base Voltage (VCBO): 300V
Collector-Emitter Voltage (VCEO): 300V
Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
Collector Current (IC): 500mA
Collector Dissipation (PC @TC=25°C): 20W
Junction Temperature (TJ): 150°C
Storage Temperature (STG): -65°C +150°C
TO-126
Type: MJE340
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.