NPN Silicon Planar High-Frequency Transistor Type BF335

Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.025W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 40V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 30V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 4V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.025A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 125°C
Transition Frequency (ft): 185MHz
Collector Capacitance (Cc): 2pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 36
Package: X09 = SOT-25
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Typ: BF335
can be replaced with NTE107

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