40317 Transistor NPN Vceo=40V, Ic=10mA, Hfe=40-200@10mA, Pt=5W, TO39
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Daten aus Power Transistor Directory 1976
Type Designator: 40317
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 40V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 2V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.7A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40
Package: TO5
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