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NTE93 Silicon PNP-Transistor HiFi Power Amplifier Audio Output

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NTE93 Silicon PNP-Transistor HiFi Power Amplifier Audio Output

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See also >>> NTE92 (NPN)

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO     200V
Collector-Emitter Voltage, VCEO     200V
Emitter-Base Voltage, VEBO     6V
Continuous Collector Current, IC     15A
Continuous Base Current, IB     5A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC     150W
Maximum Operating Junction Temperature, TJmax     +150°C
Storage Temperature Range, Tstg     -55° to +150°C

Note 1.Matched complementary pairs are available upon request (NTE93MCP). Matched complementary pairs have their gain specifications (hFE) matched to within 10% of each other.

Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 50mA 200 - - V
Collector Cutoff Current ICBO VCB = 200V - - 0.1 mA
Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 6V - - 0.1 mA
DC Current Gain hFE IC = 5A, VCE = 4V 30 120 -  
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 1A - - 3.0 V
Transition Frequency fT VCE = 12V, IE = 0.5A - 20 - MHz



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