NTE52
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

Description:
The NTE52 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high-speed power switching in inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for line-operated switch-mode appliations.

Applications:
- Switching Regulators
- Motor Controls
- Inverters
- Solenoid and Relay Drivers

Features:
- Fast Turn-Off Times:
100ns Inductive Fall Time @ +25°C (Typ)
150ns Inductive Crossover Time @ +25°C (Typ)
400ns Inductive Storage Time @ +25°C (Typ)
- Operating Temperature Range: -65° to +200°C

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V
Collector-Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750V
Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Base Current, IB
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.714W/°C
Total Device Dissipation (TC = +100°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71.5W
Operating Junction Temperatur Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C
Storage Temperatur Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W
Maximum Lead temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.