NTE317 Silicon NPN Transistor RF Power Output

Formerly: ECG317

Silicon NPN Transistor RF Power Output

Description:
The NTE317 is a 12.5V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for HF communications. This device utilizes improved metallization systems to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions.

Features:
- 70W Minimum with Greater than 13.5dB Gain
- Withstands Severe Mismatch under Operating Conditions
- Emitter Ballasted
- Low Inductance Stripline Package

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NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Maximum Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total Device Dissipation (+25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220W
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8°C/W
Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

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